Ts'ebeliso ea Mosfet, IGBT le vacuum triode mochining oa ho futhumatsa o kenang indastering (sebōpi)

Ea kajeno Matla a ho futhumatsa a Induction Theknoloji ea phepelo e itšetlehile haholo ka mefuta e meraro ea lisebelisoa tsa mantlha tsa motlakase: MOSFET, IGBT le vacuum triode, e 'ngoe le e 'ngoe ea tsona e bapala karolo e ke keng ea nkeloa sebaka maemong a itseng a ts'ebeliso. MOSFET e fetohile khetho ea pele lefapheng la ho futhumatsa ka mokhoa o nepahetseng ka lebaka la litšobotsi tsa eona tse phahameng tsa maqhubu (100kHz-1MHz), 'me e loketse ka ho khetheha bakeng sa maemo a tlaase le a nepahetseng a phahameng a kang ho qhibiliha ha mabenyane le lisebelisoa tsa elektronike. Har'a tsona, SiC/GaN MOSFET e ekelitse ts'ebetso ho feta 90%, empa moeli oa eona oa matla (hangata

Lefapheng la maqhubu a mahareng le a matla a phahameng (1kHz-100kHz), IGBT e bontšitse monyetla o matla oa tlholisano. E le sesebelisoa sa mantlha sa libopi tse qhibilihang tsa indasteri le tšepe Kalafo ea Mocheso mela ea tlhahiso, li-module tsa IGBT li ka fihlella habonolo tlhahiso ea matla ea boemo ba MW. Theknoloji ea eona e butsoitseng hantle le ts'ebeliso e ntle ea litšenyehelo li e etsa khetho e tloaelehileng bakeng sa lisebelisoa tsa ho sebetsa joalo ka tšepe le lialloi tsa aluminium. Ka ho hlahisoa ha theknoloji ea SiC, maqhubu a ts'ebetso ea moloko o mocha oa IGBT a fetile 50kHz, a ntse a kopanya puso ea eona ea 'maraka sehlopheng sa maqhubu a mahareng.

Maemong a phahameng haholo le a matla a phahameng (1MHz-30MHz), vacuum triodes e ntse e boloka boemo bo sa sisinyeheng. Ebang ke tšepe e khethehileng ea ho qhibilihisa, tlhahiso ea plasma, kapa lisebelisoa tsa phetisetso ea phatlalatso, vacuum triodes e ka fana ka tlhahiso ea matla e tsitsitseng ea boemo ba MW. Ho hanyetsa ha eona ka mokhoa o ikhethileng oa matla a phahameng a matla le meralo e bonolo ea koloi e etsa hore e be khetho e nepahetseng bakeng sa ho sebetsana le litšepe tse sebetsang tse kang titanium le zirconium, ho sa tsotellehe katleho ea eona e tlaase (50% -70%) le litšenyehelo tse phahameng tsa tlhokomelo.

Khatelo-pele ea morao-rao ea theknoloji e bontša mokhoa o hlakileng oa ho kopana: MOSFET e tsoela pele ho phunyeletsa libakeng tse phahameng tsa maqhubu le matla a phahameng ka theknoloji ea SiC/GaN; IGBT e ntse e tsoela pele ho holisa sehlopha sa maqhubu a ho sebetsa ka boqapi ba thepa; ha li-tubes tsa vacuum li tobana le khatello ea tlholisano e tsoang lisebelisoa tse tiileng ha li ntse li boloka melemo ea tsona ea maqhubu a phahameng haholo. Phetoho ena ea theknoloji e fetola sebopeho sa indasteri ea lisebelisoa tsa motlakase tse futhumatsang.

Khethong ea 'nete, lienjineri li hloka ho nahanisisa ka botlalo lintlha tse tharo tse kholo tsa khafetsa, matla le moruo: MOSFET e ratoa bakeng sa maqhubu a phahameng le matla a tlase, IGBT e khethoa bakeng sa maqhubu a mahareng le matla a phahameng, 'me li-vacuum triode li ntse li hlokahala bakeng sa maqhubu a phahameng haholo le matla a phahameng. Ka tsoelo-pele ea theknoloji ea semiconductor e pharaletseng, boemo bona ba khetho bo ka fetoha, empa nakong e tlang, mefuta e meraro ea lisebelisoa e tla tsoela pele ho bapala karolo ea bohlokoa libakeng tse fapaneng tsa melemo, 'me ka kopanelo e khothaletse nts'etsopele ea mahlale a ho futhumatsa a induction ho ea tseleng e sebetsang hantle le e nepahetseng.